一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器

doi:10.13954/j.cnki.hdu.2023.04.003

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杭州电子科技大学学报 ›› 2023, Vol. 43 ›› Issue (4) : 14-20. DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2023.04.003

一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器

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A low additional phase shift attenuator for BiCMOS process

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2023, 43(4): 14-20 https://doi.org/10.13954/j.cnki.hdu.2023.04.003

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收稿日期	出版日期
2022-08-19	2023-07-25
发布日期
2023-09-13

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