蒋宇涛, 刘军, 刘昊, 金华, 李嵬, 徐欣欣, 苏国东
研制了一款工作频率为4~8 GHz的低噪声放大器(LNA,Low Noise Amplifier)电路。采用有耗匹配网络,实现了LNA的宽带特性;通过合理分配两级放大器的增益,兼顾了LNA的增益和噪声性能。该LNA采用某国产化GaAs pHEMT工艺加工,测量结果表明,在工作频带内,增益为20.5 dB,输入回波损耗优于14 dB,输出回波损耗优于12 dB。基于晶圆级异构封装工艺,设计了该LNA的封装,并提出了融合晶圆级封装工艺与GaAs工艺的协同仿真方法,对封装后LNA的性能进行了评估,提出的协同仿真方法为基于晶圆级工艺的微波电路封装、结合微波固态集成电路构建异构微系统提供了一种参考。