基于寄生结构的6 cell砷化镓HBT模型

doi:10.13954/j.cnki.hdu.2025.06.002

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杭州电子科技大学学报 ›› 2025, Vol. 45 ›› Issue (6) : 12-21. DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2025.06.002

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A 6-cell Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor model based on parasitic structure

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2024-02-14
发布日期
2025-12-16

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