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基于寄生结构的6 cell砷化镓HBT模型
胡甘霖, 刘军
A 6-cell Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor model based on parasitic structure
HU Ganlin, LIU Jun
杭州电子科技大学学报 . 2025, (6): 12 -21 .  DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2025.06.002

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