基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz~8.0 GHz低噪声放大器

叶乔霞, 陈奇超, 张超, 高海军

杭州电子科技大学学报 ›› 2023, Vol. 43 ›› Issue (5) : 30-35.

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杭州电子科技大学学报 ›› 2023, Vol. 43 ›› Issue (5) : 30-35. DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2023.05.005

基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz~8.0 GHz低噪声放大器

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Low noise amplifier of 0.1 GHz~8.0 GHz based on GaAs pHEMT process

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