基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究

doi:10.13954/j.cnki.hdu.2025.01.002

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杭州电子科技大学学报 ›› 2025, Vol. 45 ›› Issue (1) : 11-18. DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2025.01.002

基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究

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TCAD study of single-event effects for the 4H-SiC VDMOSFET with step source

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收稿日期	出版日期
2023-12-24	2025-01-15
发布日期
2025-03-21

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