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基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz~8.0 GHz低噪声放大器
叶乔霞, 陈奇超, 张超, 高海军
Low noise amplifier of 0.1 GHz~8.0 GHz based on GaAs pHEMT process
YE Qiaoxia, CHEN Qichao, ZHANG Chao, GAO Haijun
杭州电子科技大学学报 . 2023, (5): 30 -35 .  DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2023.05.005

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