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基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究
项君, 王颖, 于成浩
TCAD study of single-event effects for the 4H-SiC VDMOSFET with step source
XIANG Jun, WANG Ying, YU Chenghao
杭州电子科技大学学报 . 2025, (1): 11 -18 .  DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2025.01.002

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